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開機(jī)延遲時間測試

日期:2025-06-03 20:29
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摘要:開機(jī)延遲時間測試,開關(guān)電源使用的半導(dǎo)體功率器件,在上電和斷電時都會受到?jīng)_擊。所以需要對開關(guān)電源進(jìn)行電源開關(guān)循環(huán)試驗(yàn),測試電源在滿載的情況下是否能連續(xù)承受開關(guān)操作下的沖擊,確保電源的耐久性

開機(jī)延遲時間測試:
開關(guān)電源使用的半導(dǎo)體功率器件,在上電和斷電時都會受到?jīng)_擊。所以需要對開關(guān)電源進(jìn)行電源開關(guān)循環(huán)試驗(yàn),測試電源在滿載的情況下是否能連續(xù)承受開關(guān)操作下的沖擊,確保電源的耐久性。

測試條件:將被測電源放置在室溫環(huán)境中,輸入電壓115Vac/230Vac,輸出負(fù)載為滿載。將被測電源開關(guān)ON,持續(xù)時間為5s,然后將開關(guān)撥到OFF,持續(xù)時間5s,重復(fù)此過程。一次開關(guān)的過程為一個測試周期,整個試驗(yàn)需持續(xù)至少5000個周期。試驗(yàn)過程中每完成1000個周期,記錄被測開關(guān)電源的輸入功率和輸出電壓。待試驗(yàn)結(jié)束后,如果待測產(chǎn)品在試驗(yàn)前后的電氣性能沒有差異,則通過此試驗(yàn)。

這需要測試設(shè)備具有足夠長的存儲,可以在保持較高采樣率的情況下進(jìn)行長期波形捕捉。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級較為耐用)。若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET導(dǎo)通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通;若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使晶體管截止。因此,IGBT**可靠與否主要由以下因素決定:

? IGBT柵極與發(fā)射極、集電極與發(fā)射極之間的電壓
? 流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流
? IGBT的結(jié)溫

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